摩尔定律是由英特尔创始人戈登·摩尔在1965年提出的一个预测，它指出集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番，性能也会相应提升。然而，随着时间的推移，摩尔定律的适用性受到了一些限制，主要包括以下几个方面：
1. 物理极限：随着晶体管尺寸的不断缩小，接近了物理极限，如量子效应和热力学效应的影响变得显著，使得继续缩小晶体管变得非常困难。
2. 热管理：晶体管越小，产生的热量越多，散热变得更加困难。这可能导致芯片过热，影响性能和可靠性。
3. 制造成本：随着晶体管尺寸的减小，制造工艺变得更加复杂和昂贵。当晶体管尺寸减小到一定程度时，制造成本可能超过其带来的性能提升。
4. 功耗：晶体管数量增加会导致功耗显著上升，这对于移动设备和服务器等需要低功耗的应用来说是一个巨大的挑战。
5. 集成度：尽管晶体管数量可以增加，但过高的集成度可能导致芯片设计和制造上的复杂性增加，从而影响成本和可靠性。
6. 性能提升的边际效应递减：虽然晶体管数量增加可以带来性能的提升，但性能提升的边际效应会随着晶体管数量的增加而递减。
为了克服这些限制，研究人员和工程师正在探索新的技术，如三维集成电路（3D IC）、新型晶体管技术（如FinFET和GaN）、异构集成等。这些技术有望在一定程度上延续摩尔定律的趋势，但它们也带来了新的挑战和不确定性。
