PMOS（P型金属氧化物半导体）晶体管做在N阱上，主要是基于以下几个原因：
1. 电学特性：N阱可以提供N型掺杂的衬底，这对于PMOS晶体管来说是非常重要的。在N阱上制造PMOS晶体管，可以确保晶体管的源极和漏极都是N型，而栅极是P型。这种结构有助于实现晶体管的高开关速度和低漏电流。
2. 掺杂分布：在N阱上制造PMOS晶体管，可以使得N阱和P型栅极之间的掺杂分布更加均匀，这有助于提高晶体管的性能。
3. 制造工艺：在N阱上制造PMOS晶体管，可以利用现有的N型硅片制造工艺，这样可以降低制造成本。
4. 热稳定性：N阱可以提供更好的热稳定性，有助于提高晶体管的可靠性。
5. 减少漏电流：在N阱上制造PMOS晶体管，可以减少漏电流，从而提高晶体管的能效。
在N阱上制造PMOS晶体管是一种经济、高效、可靠的方法，有助于提高晶体管的性能和稳定性。
