饱和压降（Saturation Voltage Drop）是指在晶体管等电子器件中，当器件工作在饱和状态时，其两端电压的下降值。具体来说，它是指晶体管在饱和状态下，其集电极与发射极之间的电压降。
在晶体管中，饱和状态是指晶体管处于导通状态，且集电极电流不再随基极电流的增加而增加。此时，晶体管的集电极与发射极之间的电压降达到一个相对稳定的值，这个值通常称为饱和压降。
饱和压降的大小对晶体管的工作性能有重要影响。一般来说，饱和压降越小，晶体管的开关速度越快，功耗越低，性能越好。但是，饱和压降也受到晶体管材料、制造工艺、工作环境等因素的影响。
以晶体管为例，饱和压降通常用以下公式表示：
[ V_{SD
