三级管（Transistor），通常指的是双极型晶体管（BJT）或场效应晶体管（FET）。在晶体管中，输入控制电量通常指的是对晶体管进行控制的电信号，它可以是电流或电压。
1. 对于双极型晶体管（BJT）：
输入控制电量通常是基极电流（Base Current），它决定了流过晶体管的集电极电流（Collector Current）的大小。
在某些情况下，也可以是基极电压（Base Voltage），它控制着基极电流的大小。
2. 对于场效应晶体管（FET）：
对于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），输入控制电量通常是栅极电压（Gate Voltage），它控制着漏极电流（Drain Current）的大小。
对于结型场效应晶体管（JFET），输入控制电量通常是栅极-源极电压（Gate-Source Voltage），它同样控制着漏极电流的大小。
在不同的应用场景中，输入控制电量可能会有所不同，但上述内容是晶体管中常见的输入控制电量。
