红外发射管（Infrared Emitting Diode，简称IR LED）是一种利用半导体材料发光的电子元件。它的内部主要由以下几部分组成：
1. 半导体材料：红外发射管的核心是半导体材料，通常是砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）或氮化镓（GaN）等。这些材料在电子能级结构上有特定的能带间隙，当电子从高能级跃迁到低能级时，会释放出红外光子。
2. PN结：半导体材料通常制成PN结结构，其中P型半导体和N型半导体通过扩散或离子注入形成。PN结在正向偏置时，电子和空穴在结区复合，产生红外光。
3. 电极：红外发射管的电极通常由金属或金属氧化物制成，用于连接电路，使电流能够流过PN结。
4. 封装：红外发射管的外部通常有一个封装，用于保护内部结构，并确保良好的散热。封装材料可以是塑料、陶瓷或金属等。
5. 透镜或反射器：为了提高红外光的发射效率，有些红外发射管会配备透镜或反射器，以集中光线并减少散失。
红外发射管广泛应用于遥控器、红外探测、红外通信等领域。
